电池技术向高效路线进化：P-PERC 替代常规单晶，N 型技术路线繁多。历史上电池片环节经历了单晶替代多晶、P-PERC 替代常规单晶的技术迭代。

其中常规单晶电池是铝背场电池，在硅片的背光面沉积一层铝膜；

P-PERC 电池通过引入背钝化和开槽接触工艺，在电池背面形成背反射器，减少入射光损失，但背面开槽处金属接触区域增加额外的复合电流；

N 型电池技术路线繁多，其中 N-PERT 是 P-PERC 技术的改进型，在形成钝化层基础 上进行全面的扩散，加强钝化层效果；

TOPCon 在电池表面制备一层超薄氧化硅和一层高掺杂多晶硅，氧化硅的化学钝化和多晶硅层的场钝化作用可以显著降低晶硅表面少子复合速率，同时超薄多晶硅层可保证多子的有效隧穿；

HIT 通过引入非晶硅本征薄层来提升单晶硅的表面钝化性，使表面复合电流显著减小；

IBC 把正负电极置于电池背面，减少置于正面的电极反射一部分入射光带来的阴影损失。

 

 

N 型电池的发展将推动银浆需求结构发生变化。

（1）N 型电池对银浆的单位耗量增加：

N 型晶硅太阳能电池是天然的双面电池，N 型硅基体的背光面亦需要通过银浆来实现如 P 型晶硅电池正面的电极结构。

同时，N 型晶硅电池的正面 P 型发射极需要使用相对 P 型晶硅电池更多的银浆，才能实现量产可接受的导电性能。

因此，N 型电池除了转换效率要显著高于 P 型晶硅电池外，对银浆的需求量也要高于 P 型晶硅电池。

根据 CPIA 数据，N 型电池中 HJT 电池对银浆的单位耗量是普通 P 型电池的 3 倍，从每瓦银浆耗量的角度上来说，N 型电池每瓦耗量仍高于 P 型电池。

随着 N 型硅电池的未来市场占有率增加，正面银浆市场需求量有望进一步增加。

（2）异质结电池需搭配使用低温银浆：

传统 P 型电池使用高温银浆，HJT 电池由于其内部的非晶硅层对温度十分敏感，电池片制造温度有一定限制，因此需搭配使用低温银浆。

HJT 电池是在晶硅基片上使用薄膜技术制作 P-N 节、减反射层和导电层的新型电池工艺技术，其整个电池制作前道过程的工艺温度均不超过 250 摄氏度。

如果使用与晶硅电池一致的高温银浆制作电池的正/负电极，该银浆成型需要 700 摄氏度以上的高温，这将会对 HJT 电池的薄膜结构造成非常大的损伤。

 

免责声明：以上内容转载自集邦新能源网，所发内容不代表本平台立场。
全国能源信息平台联系电话：010-65369450，邮箱：nengyuanwang@126.com，地址：北京市朝阳区金台西路2号人民日报社